标签： 存储芯片

由UNIST能源与化学工程学院的李俊熙教授领导的研究小组提出了一种新的物理现象，该现象有望将指甲大小的存储芯片的存储容量提高1,000倍。 研究小组认为，这将为直接集成到硅技术中的最终致密的逐单元铁电 … Continue reading 突破：芯片存储容量提高1000倍

　　不论是 NAND 闪存还是 DRAM 内存，国内市场几乎都是 100% 依赖进口，去年进口的存储芯片价值超过 1000 亿美元，所以国内近年来集中力量发展存储芯片。 在国内布局的三大存储芯片基地中 … Continue reading 国产内存揭秘：源于奇梦达一千多万份DRAM内存技术资料