快科技8月10日消息，据报道，三星计划重新推出其Z-NAND存储技术，目标性能比传统NAND闪存提升高达15倍，同时功耗降低80%。 此外，三星还开发了一种名为“GPU-Initiated Direc … Continue reading 目标传统NAND性能的15倍！三星时隔多年要复活Z-NAND
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颠覆性的存储技术：华人科学家实现10亿次擦写 改写存储产业格局
一项颠覆性的存储技术突破正在重新定义半导体产业的未来。75岁华人物理学家卢志远开发的自我修复闪存技术，将传统闪存的擦写次数从1万次大幅提升至10亿次以上，这一成就不仅为他赢得了2025年未来科学大奖， … Continue reading 颠覆性的存储技术：华人科学家实现10亿次擦写 改写存储产业格局
