IT之家 12 月 31 日消息，韩媒 ETNews 在昨日的报道中表示，三星电子将在明年积极提升 HBM 内存制造能力，理论产能将从当前的每月约 17 万片增至每月约 25 万片，增幅接近五成。 报 … Continue reading 消息称三星2026年HBM产能达每月约25万片晶圆，提升近五成
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消息称SK海力士美国首厂引入2.5D封装线，布局AI芯片的“最后的一公里”
IT之家 12 月 31 日消息，科技媒体 ZDNet Korea 于 12 月 29 日发布博文，报道称 SK 海力士（SK Hynix）计划在位于印第安纳州西拉斐特（West Lafayette） … Continue reading 消息称SK海力士美国首厂引入2.5D封装线，布局AI芯片的“最后的一公里”
三星平泽P4工厂建设提速，HBM4量产或提前
12月29日消息，据报道，三星电子平泽P4工厂建设项目正在加速推进，其设备的安装和测试运行目标已比原计划提前2-3个月。该工厂将成为三星10nm第六代（1c）DRAM生产的核心，三星率先将1c DRA … Continue reading 三星平泽P4工厂建设提速，HBM4量产或提前
消息称HBM3E芯片价格飙升50%，AI热潮成主要推手
IT之家 12 月 27 日消息，据韩媒 SEdAIly 昨天报道，随着全球科技巨头在 AI 领域竞争逐渐升温，核心零部件 HBM 价格正在大幅飙升。 据报道，三星与 SK 海力士在与现有客户续签 H … Continue reading 消息称HBM3E芯片价格飙升50%，AI热潮成主要推手
三星、SK海力士据悉将于明年2月启动HBM4量产
12月26日消息，据报道，三星电子将于2月在韩国平泽园区启动HBM4量产，SK海力士则将在其M16工厂启动量产。
SK海力士明年1月初向英伟达交付12层HBM4最终样品
《科创板日报》25日讯，SK海力士采用改进型电路的HBM4晶圆将于本月底完成晶圆制造，并于明年1月初向英伟达交付其下一代12层HBM4内存的最终样品。如果SK海力士明年1月初能够提交更多优化后的样品， … Continue reading SK海力士明年1月初向英伟达交付12层HBM4最终样品
存储涨价潮蔓延！三星、海力士上调HBM报价20%
《科创板日报》12月24日讯 据韩国《朝鲜日报》今日消息，三星电子、SK海力士等存储供应商已上调明年HBM3E价格，涨幅接近20%。一般而言，在新一代HBM产品面世之前，供应商往往会下调前一代产品价格 … Continue reading 存储涨价潮蔓延！三星、海力士上调HBM报价20%
机构：DDR5高获利放大产能排挤效应，2026年HBM3e定价动能同步转强
TrendForce集邦咨询表示，2025年5月NVIDIA（英伟达）率先与三大DRAM供应商展开2026年采购协商，当时在买方主导定价的情况下，2026年HBM3e的初始采购单价显著低于2025年水 … Continue reading 机构：DDR5高获利放大产能排挤效应，2026年HBM3e定价动能同步转强
机构：未来一年HBM3e和DDR5的平均销售价格(ASP)差距将明显收敛
根据TrendForce集邦咨询最新调查，近期因存储器市况呈现供不应求，带动一般型DRAM(Conventional DRAM)价格急速攀升，尽管HBM3e受惠于GPU、ASIC订单同步上修，价格也随 … Continue reading 机构：未来一年HBM3e和DDR5的平均销售价格(ASP)差距将明显收敛
美光科技CEO：DRAM供应短缺将持续至2026年后 扩产能也满足不了需求
IT之家 12 月 18 日消息，对于个人电脑发烧友而言，动态随机存取存储器（DRAM）市场的前景不容乐观；但这对美光科技来说却是另一番光景，在砍掉旗下消费级品牌英睿达后的首场财报电话会议上，美光宣布 … Continue reading 美光科技CEO：DRAM供应短缺将持续至2026年后 扩产能也满足不了需求
