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杀入存储赛道？软银和英特尔携手：“低功耗版HBM”将于2029财年前商业化！

财联社2月3日讯（编辑 黄君芝）人工智能（AI）基础设施建设正助力掀起一轮存储“超级周期”，投资巨头和科技巨头正在争先布局这一赛道。软银集团周二表示，其子公司Saimemory已与英特尔公司达成合作， … 继续阅读 杀入存储赛道？软银和英特尔携手：“低功耗版HBM”将于2029财年前商业化！

AI重塑竞争格局 SK海力士年度利润首次超越三星

财联社1月29日讯（编辑 夏军雄）凭借在人工智能（AI）芯片所需的高带宽存储器（HBM）的领先优势，SK海力士在2025年首次实现营业利润超越竞争对手三星电子。 本周，两家韩国存储芯片巨头均公布了财报 … 继续阅读 AI重塑竞争格局 SK海力士年度利润首次超越三星

AI引爆存储涨价潮！三星Q4营收利润均创新高 芯片业务利润飙升470%

财联社1月29日讯（编辑 卞纯）周四（1月29日），全球最大内存芯片制造商三星电子发布了2025年第四季度（截至12月31日）以及2025年全年业绩。 财报显示，随着科技巨头间的AI竞赛加剧存储芯片短 … 继续阅读 AI引爆存储涨价潮！三星Q4营收利润均创新高 芯片业务利润飙升470%

SK海力士Q4营收利润均创新高 HBM成业绩增长关键动力

财联社1月28日讯（编辑 马兰）韩国半导体制造商SK海力士周三公布其2025年第四季度财报，凭借人工智能内存芯片领域的竞争力以及包括HBM在内的高附加值产品，该公司的年度和季度业绩双双创下历史新高。 … 继续阅读 SK海力士Q4营收利润均创新高 HBM成业绩增长关键动力

“超级周期”已至！众多行业人士预测：存储短缺或至少持续两到三年

财联社1月27日讯（编辑 刘蕊）随着人工智能基础设施建设轰轰烈烈，人们越来越感受到，存储芯片供应紧张状况可能会比预期持续更长时间。那么，这一供应短缺情况究竟会持续多久？ 多位半导体行业资深人士作出了相 … 继续阅读 “超级周期”已至！众多行业人士预测：存储短缺或至少持续两到三年

三星电子HBM4E基础芯片进入后端设计阶段

《科创板日报》22日讯，三星电子正在开发的第七代高带宽存储器（HBM4E）的基础芯片已进入后端设计阶段。此外，该公司最近制定了新的HBM路线图，旨在加快实现HBM4、HBM4E、HBM5三代产品量产。 … 继续阅读 三星电子HBM4E基础芯片进入后端设计阶段

SK海力士、三星加速HBF商业化进程 “HBM之父”：最快明年用于英伟达产品

《科创板日报》1月18日讯 尽管HBM自推出到登上半导体产业舞台中心花费了近十年时间，但其迭代技术HBF或将以更快速度实现商业化和普及。 据韩国经济日报等外媒报道，SK海力士正与闪迪合作，致力于HBF … 继续阅读 SK海力士、三星加速HBF商业化进程 “HBM之父”：最快明年用于英伟达产品

机构：HBM4受规格提升与英伟达策略调整影响，预估量产时程延至2026年第一季度末

根据TrendForce集邦咨询最新调查，NVIDIA（英伟达）于2025年第三季调整Rubin平台的HBM4规格，上修对Speed per Pin的要求至高于11Gbps，致使三大HBM供应商需修正 … 继续阅读 机构：HBM4受规格提升与英伟达策略调整影响，预估量产时程延至2026年第一季度末