IT之家 4 月 22 日消息，集邦咨询 Trendforce 今天（4 月 22 日）发布博文，报道称 SK 海力士在美国印第安纳州开始动工建设首座半导体先进封装工厂，投资约 38.7 亿美元（IT … 继续阅读 消息称SK海力士38.7亿美元美国工厂动工，计划2028年投产HBM4E和HBM5
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曝三星加快研发HBM4E芯片，基础裸片有望采用2nm制程
IT之家 3 月 13 日消息，据韩媒 Business Korea 昨天报道，三星电子计划在下一代 HBM 芯片中应用 2nm 制程工艺，在提升技术竞争力的同时紧密结合内存制造、半导体代工能力。 行 … 继续阅读 曝三星加快研发HBM4E芯片，基础裸片有望采用2nm制程
台积电展望定制版HBM4E内存：N3P制程基础裸片集成内存控制器
IT之家 11 月 28 日消息，参考德媒 Hardwareluxx 编辑 Andreas Schilling 在社交平台分享的图片，台积电在本月 25 日于荷兰阿姆斯特丹举行的 2025 年 OIP … 继续阅读 台积电展望定制版HBM4E内存：N3P制程基础裸片集成内存控制器
消息称三星电子、SK海力士目标明年上半年完成HBM4E研发，定制化成竞争关键
IT之家 11 月 13 日消息，据 ChosunBiz 报道，随着存储半导体行业中第六代高带宽内存（HBM4）的竞争愈发激烈，对下一代 HBM 的需求逐渐显现，促使三星电子与 SK 海力士加速推进研 … 继续阅读 消息称三星电子、SK海力士目标明年上半年完成HBM4E研发，定制化成竞争关键
