3月17日,据报道,韩国SK集团董事长表示,由于半导体生产中存在系统性瓶颈,全球内存芯片短缺局面可能还将持续四到五年。
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SK海力士与英伟达联合开发的液冷式eSSD将亮相GTC大会
3月17日,SK海力士宣布,将于3月16日至19日(当地时间)参加在美国加州圣何塞举行的“英伟达GTC 2026(GPU技术大会)”。SK海力士以“聚焦AI存储器”为主题设立展区,集中展示面向AI的存 … 继续阅读 SK海力士与英伟达联合开发的液冷式eSSD将亮相GTC大会
内存短缺2028年将结束?三星和SK海力士资本支出偏谨慎
财联社3月16日讯(编辑 马兰)全球存储行业正处于人工智能需求爆发的超级周期中,然而,随着时间推移,以三星电子和SK海力士为代表的主要存储生产商正在重新审视市场供需平衡,并采取了更加谨慎的扩张策略。 … 继续阅读 内存短缺2028年将结束?三星和SK海力士资本支出偏谨慎
内存降价预期幻灭!Counterpoint预警:巨头再扩产也满足不了
快科技3月13日消息,Counterpoint Research在最新线上研讨会上指出,随着全球内存短缺的加剧,价格涨幅远超预期,供应紧张态势将至少延续至2027年下半年。 根据Counterpoin … 继续阅读 内存降价预期幻灭!Counterpoint预警:巨头再扩产也满足不了
英伟达拟在Vera Rubin芯片中采用三星和SK海力士HMB4存储技术
据报道,英伟达计划在其新款Vera Rubin芯片中采用三星和SK海力士的HMB4存储技术。
SK海力士推进全新HBM封装技术 或缩小DRAM层间距
《科创板日报》4日讯,SK海力士正在推进一项旨在提升HBM4稳定性和性能的封装技术革新,其核心措施包括增加DRAM厚度和缩小DRAM层间距,目前该技术正在验证阶段。若其成功商业化,将有效缩小HBM4及 … 继续阅读 SK海力士推进全新HBM封装技术 或缩小DRAM层间距
韩国存储芯片巨头SK海力士拟在韩国投资150亿美元 以扩建芯片产能
存储巨头最新发声:今年涨价将贯穿全年!
据媒体报道,近日,SK海力士在高盛的电话会上发布对存储行业及公司经营的最新观点。该公司认为:“全球存储器产业已彻底转向卖方市场,2026年价格涨势将贯穿全年。” 图片来源:每经媒资库 SK海力士这项判 … 继续阅读 存储巨头最新发声:今年涨价将贯穿全年!
SK海力士系统集成电路无锡公司增资至14亿
天眼查App显示,近日,SK海力士系统集成电路(无锡)有限公司发生工商变更,企业名称变更为SK海力士系统集成电路(无锡)股份有限公司,同时,注册资本由约6.35亿美元增至14亿美元。该公司成立于201 … 继续阅读 SK海力士系统集成电路无锡公司增资至14亿
SK海力士发表HBF与HBM混合架构 性能提升高达2.69倍
《科创板日报》12日讯,SK海力士近日通过发表在IEEE(电气与电子工程师协会)全球半导体大会上的论文,提出了一种新型半导体结构。该结构采用了HBM和HBF两种技术,公司将8个HBM3E和8个HBF置 … 继续阅读 SK海力士发表HBF与HBM混合架构 性能提升高达2.69倍

