据报道,SK海力士预计将在其HBM4E核心芯片上采用10nm级第六代(1c)DRAM工艺,而逻辑芯片则采用台积电的3nm工艺。
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三星正采用2nm制程工艺设计HBM逻辑芯片
《科创板日报》21日讯,三星正在采用2nm制程工艺设计用于定制化HBM的逻辑芯片,其于此前已将4nm制程应用于HBM4(第六代HBM)的逻辑芯片,该产品预计将于今年投入商业化生产。 (ZDNet)
鹅知道|三星为何投资千亿美元搞逻辑芯片?云计算或撬动产业需求
4 月 24 日,三星电子宣布,将在未来 10 年内(至 2030 年)在包括代工服务在内的其逻辑芯片(主要指 CPU、GPU 等计算芯片)业务上投资 133 兆韩元 (约 1158 亿美元 ), … 继续阅读 鹅知道|三星为何投资千亿美元搞逻辑芯片?云计算或撬动产业需求

