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标签: 离子注入

西电团队攻克芯片散热世界难题:界面热阻降至原先三分之一

快科技1月15日消息,据媒体报道,西安电子科技大学郝跃院士团队在半导体材料领域取得关键突破,成功解决了困扰业界二十年的芯片散热与性能瓶颈问题。相关成果已发表于国际顶级期刊《自然·通讯》与 … 继续阅读 西电团队攻克芯片散热世界难题:界面热阻降至原先三分之一

Posted on 2026年1月16日Categories 业界Tags 世界, 业界, 中间层, 传统, 体验, 信号, 偏远地区, 共性, 关键, 创新性, 制约, 功率, 功率较, 半导体, 半导体器件, 半导体芯片, 单位, 同类, 周弘, 器件, 团队, 国际, 基础, 媒体报道, 射频, 层间, 岛屿, 市面上, 微波, 性能, 成员, 成果, 手机, 技术, 教授, 数量级, 方法, 时间, 普通用户, 晶体, 期刊, 材料, 核心, 氮化, 水平, 消息, 热阻, 瓶颈, 生长, 界面, 离子注入, 科学, 结构, 续航, 能力, 能耗, 芯片, 表面, 西安电子科技大学, 西电, 诺贝尔奖, 质量, 过程, 通讯, 郝跃, 金刚石, 问题, 院士, 难题, 面积, 顶级, 领域, 高功率, 高效率, 高能
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