财联社5月13日讯(记者 王碧微)“近期产品价格上调了10%,所有类型产品类型都有涨价。”某国际功率半导体公司人士向财联社记者表示道。 这并非个例,2026年开年以来,功率半导体行业迎来一轮密集涨价潮 … 继续阅读 功率半导体密集涨价!AI数据中心成最大推手 业内预计供需紧张短期难解
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第十代NAND+SiC+玻璃基板……主业向好的三星电子要重启“未来增长引擎”
《科创板日报》5月12日讯 过去几年,身处DRAM与HBM市场的激烈竞争之中,三星电子旗下众多新型半导体业务一度被搁置。而随着主要存储器业务趋于稳定,该公司或重启针对下一代半导体的推进工作。 据ETN … 继续阅读 第十代NAND+SiC+玻璃基板……主业向好的三星电子要重启“未来增长引擎”
马斯克为何选择英特尔合作Terafab?一篇论文可能给出答案
财联社4月13日讯(编辑 马兰)英特尔上周宣布,将加入马斯克的巨型芯片项目Terafab,参与芯片设计、制造和封装等工序,并帮助Terafab达成年产能一太瓦算力的目标。 虽然这场合作被视为一场双赢, … 继续阅读 马斯克为何选择英特尔合作Terafab?一篇论文可能给出答案
我国科研团队攻克芯片散热世界难题 氮化镓功率器件有望站上风口
据西安电子科技大学官方消息,近日,郝跃院士张进成教授团队的最新研究在这一核心难题上实现了历史性跨越——他们通过将材料间的“岛状”连接转化为原子级平整的“薄膜”,使芯片的散热效率与综合性能获得了飞跃性提 … 继续阅读 我国科研团队攻克芯片散热世界难题 氮化镓功率器件有望站上风口
西电团队攻克芯片散热世界难题:氮化镓射频芯片性能提升30%到40%
财联社1月17日电,据西安电子科技大学官方消息,近日,郝跃院士张进成教授团队的最新研究在这一核心难题上实现了历史性跨越——他们通过将材料间的“岛状”连接转化为原子级平整的“薄膜”,使芯片的散热效率与综 … 继续阅读 西电团队攻克芯片散热世界难题:氮化镓射频芯片性能提升30%到40%
安森美联合格罗方德 开发下一代氮化镓功率器件
财联社12月19日电,安森美与格罗方德12月19日达成全新合作协议,共同研发并制造下一代氮化镓功率器件,合作将从650V器件开始。据介绍,安森美该系列产品将结合格罗方德200毫米增强型硅基氮化镓工艺, … 继续阅读 安森美联合格罗方德 开发下一代氮化镓功率器件
安森美宣布与格芯共同研发下一代氮化镓功率器件
当地时间12月18日,安森美宣布,已与格芯(GlobalFoundries)签署合作协议。双方将基于格芯最先进的200毫米增强型硅基GaN工艺,共同研发并制造先进GaN(氮化镓)功率产品,合作将从65 … 继续阅读 安森美宣布与格芯共同研发下一代氮化镓功率器件
VisIC完成2600万美元B轮融资
12月11日,以色列电动汽车氮化镓(GaN)功率半导体企业VisIC Technologies Ltd.宣布其B轮融资第二次交割完成,共募集2600万美元。 本轮由一家全球半导体领导者领投,现代汽车公 … 继续阅读 VisIC完成2600万美元B轮融资
一年可为超大型AI算力中心省3亿度电 第三代半导体有望迎来需求爆发
100万个指甲盖大小的“黑盒子”,装入一座容量1吉瓦(10亿瓦)的超大型AI算力中心机柜里,一年可省近3亿度电,约合2.4亿元电费。这是九峰山实验室新发布的科技成果——氮化镓电源模块。团队负责人李思超 … 继续阅读 一年可为超大型AI算力中心省3亿度电 第三代半导体有望迎来需求爆发
一年可省3亿度电!九峰山实验室发布氮化镓电源模块新成果
快科技12月4日消息,“中国光谷”公众号发文,九峰山实验室新发布的科技成果——氮化镓电源模块。 建设AI算力中心本质上是“以电换算”。理论上,一座1吉瓦(GW)规模的AI算力中心,年用电量可达87.6 … 继续阅读 一年可省3亿度电!九峰山实验室发布氮化镓电源模块新成果

