IT之家 10 月 14 日消息，中国台湾阳明交通大学（NYCU）联合台积电、国立中兴大学（NCHU）、美国斯坦福大学等机构，成功攻克自旋轨道力矩磁阻式磁性存储器（SOT-MRAM）的核心材料难题。 … 继续阅读 科学家攻克SOT-MRAM关键材料难题，为下一代高效存储芯片铺路
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内存简史：从水银延迟线到DDR5内存
内存，Memory，计算机最重要的部件之一，它用于储存CPU运算时，CPU与硬盘、光盘、U盘外部存储器交互的数据。可以说，任何一台电脑缺少内存都无法运行起来。可你知道内存发展史么，今天简单讲解一下。 … 继续阅读 内存简史：从水银延迟线到DDR5内存
颠覆性的存储技术：华人科学家实现10亿次擦写 改写存储产业格局
一项颠覆性的存储技术突破正在重新定义半导体产业的未来。75岁华人物理学家卢志远开发的自我修复闪存技术，将传统闪存的擦写次数从1万次大幅提升至10亿次以上，这一成就不仅为他赢得了2025年未来科学大奖， … 继续阅读 颠覆性的存储技术：华人科学家实现10亿次擦写 改写存储产业格局
