标签： 存储密度

一项颠覆性的存储技术突破正在重新定义半导体产业的未来。75岁华人物理学家卢志远开发的自我修复闪存技术，将传统闪存的擦写次数从1万次大幅提升至10亿次以上，这一成就不仅为他赢得了2025年未来科学大奖， … Continue reading 颠覆性的存储技术：华人科学家实现10亿次擦写 改写存储产业格局