HBM – 第 4 页 – 冯金伟博客园

消息称HBM3E芯片价格飙升50%，AI热潮成主要推手

IT之家 12 月 27 日消息，据韩媒 SEdAIly 昨天报道，随着全球科技巨头在 AI 领域竞争逐渐升温，核心零部件 HBM 价格正在大幅飙升。据报道，三星与 SK 海力士在与现有客户续签 H … 继续阅读消息称HBM3E芯片价格飙升50%，AI热潮成主要推手

12月26日消息，据报道，三星电子将于2月在韩国平泽园区启动HBM4量产，SK海力士则将在其M16工厂启动量产。

《科创板日报》25日讯，SK海力士采用改进型电路的HBM4晶圆将于本月底完成晶圆制造，并于明年1月初向英伟达交付其下一代12层HBM4内存的最终样品。如果SK海力士明年1月初能够提交更多优化后的样品， … 继续阅读 SK海力士明年1月初向英伟达交付12层HBM4最终样品

《科创板日报》12月24日讯据韩国《朝鲜日报》今日消息，三星电子、SK海力士等存储供应商已上调明年HBM3E价格，涨幅接近20%。一般而言，在新一代HBM产品面世之前，供应商往往会下调前一代产品价格 … 继续阅读存储涨价潮蔓延！三星、海力士上调HBM报价20%

TrendForce集邦咨询表示，2025年5月NVIDIA（英伟达）率先与三大DRAM供应商展开2026年采购协商，当时在买方主导定价的情况下，2026年HBM3e的初始采购单价显著低于2025年水 … 继续阅读机构：DDR5高获利放大产能排挤效应，2026年HBM3e定价动能同步转强

根据TrendForce集邦咨询最新调查，近期因存储器市况呈现供不应求，带动一般型DRAM(Conventional DRAM)价格急速攀升，尽管HBM3e受惠于GPU、ASIC订单同步上修，价格也随 … 继续阅读机构：未来一年HBM3e和DDR5的平均销售价格(ASP)差距将明显收敛

IT之家 12 月 18 日消息，对于个人电脑发烧友而言，动态随机存取存储器（DRAM）市场的前景不容乐观；但这对美光科技来说却是另一番光景，在砍掉旗下消费级品牌英睿达后的首场财报电话会议上，美光宣布 … 继续阅读美光科技CEO：DRAM供应短缺将持续至2026年后扩产能也满足不了需求

《科创板日报》15日讯，SK海力士已向新加坡ASMPT公司订购了一批新的热压键合机（TCB），以支持HBM4的生产。据悉，SK海力士上个月向ASMPT订购了7套TC键合系统，每套系统配备两个键合头。每 … 继续阅读 SK海力士向ASMPT订购热压键合机以生产HBM4

每经AI快讯，12月8日，盛美上海在互动平台表示，目前，盛美上海已推出多款适配HBM工艺的设备。其中，公司的Ultra ECP 3D设备可用于TSV铜填充；全线湿法清洗设备及电镀铜设备等均可用于HBM … 继续阅读盛美上海：已推出多款适配HBM工艺设备

IT之家 12 月 2 日消息，韩媒 DealSite 昨日报道称，三星电子考虑将支撑其 HBM3E 内存供应的 1a nm DRAM 产能削减 30~40%，通过制程转换提升适用于通用内存产品的 1 … 继续阅读消息称三星电子考虑削减HBM3E产能，扩产1b nm通用DRAM以最大化利润