《科创板日报》9月12日讯（编辑 宋子乔） 据韩联社等多家韩媒今早报道，SK海力士12日宣布，已成功完成面向AI的超高性能存储器新产品HBM4的开发，实现了全球最高水平的数据处理速度和能效，并在全球首次构建了量产体系。
消息发布后，SK海力士（000660. KRX）股价当日盘中一度上涨超5%。
高带宽存储器（HBM，High Bandwidth Memory）垂直连接多个DRAM，与现有的DRAM相比，能显著提升数据处理速度，目前已推出六代产品——HBM、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E、HBM4。
据海力士介绍，相比前一代产品（HBM3E），新一代HBM4的数据传输通道（I/O）从1024条提升至2048条，带宽较之扩大一倍，与此同时，其HBM4实现了高达10Gbps（每秒10千兆比特）以上的运行速度，这大幅超越JEDEC标准规定的8Gbps（每秒8千兆比特）；另外，该产品能效提升40%。这意味着，其HBM4不仅在单位时间内处理的数据量有了巨大提升，还可降低数据中心电力成本。
SK海力士预测，将该产品引入客户系统后，AI服务性能最高可提升69%。这能让AI训练和推理更快、更高效。
SK海力士在HBM4的开发过程中采用了自研的MR-MUF封装技术和第五代10纳米级（1b）DRAM工艺，MR-MUF工艺指在堆叠半导体芯片后，通过向芯片间隙注入液态保护材料并固化的方式保护层间电路，相较逐层堆叠芯片时铺设薄膜材料的传统方式，该工艺效率更高且散热效果优异。
SK海力士副总裁、HBM开发负责人赵柱焕（Kwon Eon-oh）表示，“HBM4的开发将成为业界新的里程碑”，并补充道，“我们将及时提供满足客户要求的性能、能效、可靠性等产品，确保在AI内存市场的竞争优势，并实现快速上市。”
赵柱焕是DRAM领域的专家，于2022年将全球首创的下一代工艺High-K Metal Gate (HKMG)引入到移动DRAM、LPDDR中，提高了速度并降低了功耗消耗。2023年，他晋升为SK海力士高管，承担起完成该公司HBM技术路线图的重任。
SK海力士AI Infra部门总裁兼首席营销官金柱善（Kim Ju Seon）则明确表态：“HBM4是突破AI基础设施局限性的标志性转折点，SK海力士将通过及时供应AI时代所需的最高品质和多样化性能内存，成长为一家全栈式AI内存提供商。”（小K注：SK海力士AI Infra是该公司为专注人工智能领域成立的独立业务部门，主要负责AI半导体相关业务，包括新一代HBM芯片等人工智能技术的研发与市场拓展）
HBM对于AI能（特别是大规模训练和推理）、高性能计算以及高端显卡至关重要，它能够极大缓解数据吞吐的瓶颈，让GPU等处理器高效运转。
目前高端HBM市场主要由三星、美光、海力士三大巨头主导，头部厂商在HBM上的竞争异常激烈。SK海力士的HBM产品市场占有率位列第一，新品迭代上，此次SK海力士领先一步，但三星和美光也在积极跟进，两者均已经开发了HBM4产品，前者正在筹备样品生产，计划在2025年第四季度开始初期生产，目标是搭载于英伟达2026年推出的Rubin AI GPU，正计划恢复建设平泽第五工厂，为下一代HBM准备产能，后者已推出12层堆叠36GB HBM4样品，进入客户验证阶段，计划2026年正式量产。
