美国此举一方面向韩国半导体产业龙头企业施加压力；另一方面为接下来的中美稀土谈判增加谈判筹码
文｜《财经》研究员 周源 吴俊宇
编辑｜谢丽容
美国当地时间8月29日，美国商务部宣布将英特尔半导体（大连）有限公司、三星中国半导体有限公司和SK 海力士半导体（中国）有限公司移出“经验证最终用户”（Validated End User，下称“VEU”）授权名单。该规定将在120天后正式生效。
VEU是美国出口管制体系中的一项重要机制，由美国商务部工业与安全局（BIS）负责管理并执行相关规定。
8月30日，中国商务部发言人就此事答记者问，表示“中方注意到有关情况”。
中国商务部发言人表示，半导体是高度全球化的产业，经过数十年发展，已形成你中有我、我中有你的产业格局，这是市场规律和企业选择共同作用的结果。美方此举系出于一己之私，将出口管制工具化，将对全球半导体产业链供应链稳定产生重要不利影响，中方对此表示反对。中方敦促美方立即纠正错误做法，维护全球产业链供应链的安全稳定。中方将采取必要措施，坚决维护企业正当权益。
正常情况下，企业从美国进口受管制物项，往往需要逐笔申请出口许可证，程序复杂且耗时较长。而列入VEU特别授权清单的企业，则无需再单独申请出口许可证，能相对顺畅地获取美国技术和产品。
芯片的生产和封装测试等环节，其中的设备、软件、材料和专利技术高度依赖美国技术，如应用材料、泛林集团都是重要的半导体设备制造商。一位半导体产业人士对《财经》表示，被撤销VEU授权意味着，这几家公司在中国境内用美国设备和零部件生产芯片，都需要美国商务部审批许可证。美国政府漫长且不确定的许可证审批，会让这些半导体公司中国工厂的生产产能和技术升级面临高度不确定性。
另一位半导体咨询行业人士向《财经》表示，明面上是制裁三家公司在华子公司，实际上主要是针对韩国三星和SK海力士。
韩国三星、SK海力士和美国公司美光（Micron Technology, Inc.）被称为“存储芯片三巨头”，三家公司市场份额合计超过90%，英特尔也有部分存储芯片业务。
存储芯片主要包括DRAM（动态随机存储器，即内存芯片）和NAND（一种非易失性存储芯片（断电后数据不会丢失），是目前应用最广泛的存储介质之一）两种。三家公司在中国的投资主要是NAND芯片制造。
2012年，三星(中国)半导体有限公司落户西安高新区。公开资料显示，截至2025年，三星西安工厂总投资累计达260亿美元，是该公司在海外最大的单体投资项目，也是全球最大的NAND闪存生产基地之一。该项目还带动了100多家配套企业落户西安高新区，成为改革开放以来中国电子信息行业最大的外商投资项目之一。
《财经》了解到，SK海力士在中国有三家工厂，分别是无锡DRAM厂、大连NAND闪存厂和重庆封装厂。无锡工厂是SK海力士在中国的首个投资，该公司在无锡进行了多次增资和技术升级，累计投资额约200亿美元，是江苏省单体投资规模最大的外资企业之一。
需要特别指出的是，SK海力士大连工厂是从英特尔半导体（大连）有限公司收购来的资产。2020年10月，SK海力士与英特尔达成协议，以90亿美元整体收购后者NAND闪存及SSD业务，截至2025年3月，SK海力士已完成对英特尔NAND业务及大连工厂的全面收购，工厂现由SK海力士全资子公司运营。
天眼查显示，英特尔半导体（大连）有限公司旗下并无其他子公司。英特尔在中国成都虽然有封装测试厂，但属于英特尔成都公司。这也是为什么说，明面上是制裁三家公司，实际上主要针对三星与SK海力士。
据报道，早在今年6月，美媒就传出美国商务部考虑撤销韩企在华豁免的可能性，目的是通过这一举措加大这些半导体巨头在华运营的难度，但为防止两国贸易谈判破裂，当时白宫官员表示，美国“只是在打基础”。8月25日，美国总统特朗普会见韩国总统李在明，讨论推进两国贸易协定事宜。许多分析师表示，很难说是什么原因促成了这一最新举措。
上述半导体咨询行业人士表示，美国此举一方面向韩国三星、SK海力士施压，将半导体制造产能转移至美国；另一方面，也给接下来的中美稀土谈判增加筹码，同时也为中国大陆吸引外商在华投资先进技术造成阻力。
公开信息显示，为响应美国“制造业回流”政策，三星和SK海力士在美国都已经有投资建厂。三星目前正在美国建设两座晶圆代工厂，重点是生产4纳米及以下节点的高端芯片，并且还计划在美国建造两座全新的晶圆厂，用于生产高端存储芯片。SK海力士在美国印第安纳州正在建设一座芯片先进封装工厂。
三星和SK海力士是韩国半导体产业的两大巨头，美国对其在华业务的限制，不可避免地会影响到韩国半导体产业的发展。据媒体报道，韩国产业通商资源部表示，韩国政府已向美国商务部解释了“该国半导体企业在中国的稳定运营对全球半导体供应链稳定的重要性”，韩方将继续与美方讨论，以尽量减少对韩国企业的影响。
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