SK海力士开始供应新的高性能NAND闪存 以满足AI设备需求

《科创板日报》11日讯,SK海力士表示,已开始供应一项新的NAND解决方案,以满足具有设备上人工智能(AI)功能的最新智能手机的需求,该公司表示,新产品ZUFS 4.1基于区域存储技术,提供了更高的操 … Continue reading SK海力士开始供应新的高性能NAND闪存 以满足AI设备需求

美国撤销三星等在华半导体企业“经验证最终用户”授权,意味着什么

美国此举一方面向韩国半导体产业龙头企业施加压力;另一方面为接下来的中美稀土谈判增加谈判筹码 文|《财经》研究员 周源 吴俊宇 编辑|谢丽容 美国当地时间8月29日,美国商务部宣布将英特尔半导体(大连) … Continue reading 美国撤销三星等在华半导体企业“经验证最终用户”授权,意味着什么

SK海力士开始量产321层QLC NAND闪存,计划明年进入AI数据中心市场

8月25日,SK海力士宣布,已开发出321层2Tb(太比特,Terabit) QLC1 NAND闪存产品,并开始量产。该产品计划于明年上半年正式进入AI数据中心市场。该公司计划首先在电脑端固态硬盘(P … Continue reading SK海力士开始量产321层QLC NAND闪存,计划明年进入AI数据中心市场

美光回应中国区业务调整:公司将在全球范围内停止未来移动NAND产品的开发

财联社8月12日电,网传美国存储芯片厂商美光中国区业务调整。美光公司针对此变动回应称,鉴于移动NAND产品在市场持续疲软的财务表现,以及相较于其他NAND机会增长放缓,公司将在全球范围内停止未来移动N … Continue reading 美光回应中国区业务调整:公司将在全球范围内停止未来移动NAND产品的开发

消息称三星西安半导体工厂开启工艺升级,正采购新设备备产 236 层 NAND

感谢网友 软媒用户1520111、软媒新友1933769、西窗旧事 的线索投递! 10 月 16 日消息,上周一,三星电子和 SK 海力士等韩国公司获得美国政府无限期豁免,其中国工厂无需特别许可即可进 … Continue reading 消息称三星西安半导体工厂开启工艺升级,正采购新设备备产 236 层 NAND

消息称三星暂停第六代 V-NAND 成熟制程报价,低于 1.6 美元者全面停止出货

感谢网友 华南吴彦祖 的线索投递! 8 月 18 日消息,据台湾地区“工商时报”今日报道,三星日前已经下令暂停存储芯片第六代 V-NAND 成熟型制程报价,低于 1.6 美元者(当前约 12 元人民币 … Continue reading 消息称三星暂停第六代 V-NAND 成熟制程报价,低于 1.6 美元者全面停止出货