NAND – 冯金伟博客园

内存涨价潮要结束了？“最痛苦的时刻还没来”

摘要： “现在大家痛苦是因为涨得太快，而且涨的幅度太高。” 凤凰网科技出品作者｜Dale 编辑｜董雨晴近期，有市场消息称内存条迎来了价格“闪崩”，主流DDR5内存条跌幅从几百元到上千不等。 3月 … 继续阅读内存涨价潮要结束了？“最痛苦的时刻还没来”

《科创板日报》30日讯，三星电子已完成西安工厂工艺升级的第一阶段，逐步淘汰了传统的128层（V6）NAND闪存，并已开始量产236层（V8）产品。目前，三星电子正在筹划进一步的升级，预计将于今年完成向 … 继续阅读三星电子开始量产236层NAND闪存

【CNMO科技消息】全球人工智能（AI）投资热潮加剧了内存半导体短缺，三星和SK海力士正同步提升其中国工厂的工艺技术和产能，以全面扩大供应。韩国金融监督院近日披露，两家公司去年在华工厂的投资总额超过1 … 继续阅读豪掷1.5万亿韩元！三星、SK海力士同步升级在华工厂

【CNMO科技消息】随着人工智能数据中心需求扩大，企业级固态硬盘市场正成为存储芯片巨头的新战场。三星与SK海力士在HBM领域竞争之外，正在加速争夺企业级SSD的市场主导权。特别是在基于QLC（四层单元 … 继续阅读份额仅差3%！三星与SK海力士在企业级SSD市场“厮杀”

快科技3月19日消息，根据美光最新发布的截至2026年2月26日的2026财年第二财季财报，其营收及利润均同比增长了数倍。具体来看，美光第二财季营收为238.6亿美元，同比暴涨196.4%，环比大涨 … 继续阅读存储涨价就是香：美光Q2净利暴增7.7倍！DRAM/NAND营收同创新记录

快科技3月13日消息，Counterpoint Research在最新线上研讨会上指出，随着全球内存短缺的加剧，价格涨幅远超预期，供应紧张态势将至少延续至2027年下半年。根据Counterpoin … 继续阅读内存降价预期幻灭！Counterpoint预警：巨头再扩产也满足不了

IT之家 3 月 13 日消息，得益于 AI 需求，包括 HBM 和 NAND 闪存在内的各种存储芯片已经普遍处于供不应求的局面。在此背景下，英伟达正加强与战略伙伴的前瞻性技术合作，而不仅仅停留在简单 … 继续阅读英伟达罕见入局内存研发：联手三星共同推进铁电NAND商业化

《科创板日报》3月13日讯，今日科创板早报主要内容有：司法部部长贺荣表示，今年将加快研究人工智能等领域立法；我国成功发射卫星互联网低轨20组卫星；星际荣耀双曲线3号可重复使用运载火箭预计年底首飞；章建 … 继续阅读小K播早报|长征十二号乙运载火箭上半年首飞三星与英伟达合作研发下一代NAND闪存

3月13日，据报道，三星电子正在与英伟达合作加速开发下一代NAND闪存芯片。由三星半导体研究所、英伟达及佐治亚理工学院组成的联合研究团队，成功开发出一种“物理信息神经算子”模型。该模型分析铁电基NA … 继续阅读三星据悉与英伟达合作加速研发下一代NAND闪存

3月10日，应用材料宣布与美光科技合作，整合应用材料EPIC研发中心和美光创新中心的研发能力，开发下一代DRAM、高带宽内存（HBM）和NAND存储技术。此次合作还包括开发先进封装技术，以实现高带宽、 … 继续阅读应用材料与美光合作，将开发下一代DRAM、高带宽内存和NAND存储技术