SK海力士正研发高带宽存储:16层DRAM和NAND芯片层层堆叠,为手机AI性能加buff

IT之家 11 月 10 日消息,据韩国“电子新闻”今日报道,高带宽内存(HBM)的发展,正在推动存储大厂 SK 海力士攻克新的性能瓶颈 —— 研发高带宽存储(HBS)。这项新技术有望让未来的智能手机 … 继续阅读 SK海力士正研发高带宽存储:16层DRAM和NAND芯片层层堆叠,为手机AI性能加buff