IBM公布下代Z Telum处理器:225亿晶体管、八核5GHz+

Hot Chips 33大会上,蓝色巨人IBM公布了其下一代Z系列企业级处理器“Telum”,采用全新的内核架构,这次主打AI加速。 ,拥有全新的分支预测、缓存、多芯片一致性互 … 继续阅读 IBM公布下代Z Telum处理器:225亿晶体管、八核5GHz+

特斯拉发布D1 AI芯片:500亿晶体管、400W热设计功耗

近日的特斯拉AI日活动上,特斯拉公布了最新的AI训练芯片“D1”,规模庞大,令人称奇。 该芯片采用台积电7nm工艺制造,核心面积达645平方毫米,仅次于NVIDIA Amper … 继续阅读 特斯拉发布D1 AI芯片:500亿晶体管、400W热设计功耗

5种工艺、1000+亿晶体管!Intel Xe HPC顶级计算卡秀肌肉

我们知道,Intel Xe GPU架构分为四个层级,或者说四种微架构,其中以上是的Xe LP低功耗版仅供核显、入门独显,即将到来的Xe HPG高性能图形版面向中高端游戏显卡,Xe HP高性能版适合加速 … 继续阅读 5种工艺、1000+亿晶体管!Intel Xe HPC顶级计算卡秀肌肉

台积电2nm工厂2024年量产 与三星、Intel决战GAA晶体管技术

前几天Intel发布了最新的CPU工艺路线图,瞄准2024年的20A工艺也首次亮相,会使用GAA晶体管工艺,Intel推出了RibbonFET及PowerVia两项革命性技术。 接下来是Intel 1 … 继续阅读 台积电2nm工厂2024年量产 与三星、Intel决战GAA晶体管技术

B站焊武帝爆火出圈:纯手工拼晶体管自制CPU 可跑程序

一个人,到底能肝到什么程度? 最近B站上大火的一个视频,或许给了这个问题一个完美诠释: 纯!手!工!自制CPU! 这位叫做“奶味的”Up主,耗时整整半年,用他那双勤劳的双手,& … 继续阅读 B站焊武帝爆火出圈:纯手工拼晶体管自制CPU 可跑程序

首发GAA晶体管技术 三星3nm工艺成功流片

全球目前量产的 最先进工艺是5nm,台积电明年就要量产3nm工艺,不过3nm节点他们依然选择FinFET晶体管技术,三星则选择了GAA技术,日前三星也成功流片了3nm GAA芯片,迈出了关键一步。 在 … 继续阅读 首发GAA晶体管技术 三星3nm工艺成功流片

比亚迪半导体涨价:上游产能紧张 涨幅不低于5%

【文/观察者网 吕栋 编辑/周远方】 日前,网传的一份涨价通知函显示,比亚迪半导体向客户发通知,该公司决定从2021年7月1日起对IPM(智能功率模块)、IGBT单管产品(一种功率半导体器件)进行价格 … 继续阅读 比亚迪半导体涨价:上游产能紧张 涨幅不低于5%

台积电技术路线图:2纳米3纳米工艺将按时推出

4月27日消息,台积电近期更新了其制程工艺路线图,称其4纳米工艺芯片将在2021年底进入“风险生产”阶段,并于2022年实现量产;3纳米产品预计在2022年下半年投产, 2纳米工艺正在开发中。 在产能 … 继续阅读 台积电技术路线图:2纳米3纳米工艺将按时推出

2.6万亿晶体管!台积电7nm打造史上第一巨无霸芯片

2019年9月,半导体企业Cerebras Systems发布了,台积电16nm工艺制造,面积达46225平方毫米,内部集成了1.2万亿个晶体管、40万个AI核心、18GB SRAM缓存,支持9PB/ … 继续阅读 2.6万亿晶体管!台积电7nm打造史上第一巨无霸芯片

3nm/2nm晶体管揭秘:难、难、难

一些晶圆代工厂仍在基于下一代全能栅极晶体管开发新工艺,包括更先进的高迁移率版本,但是将这些技术投入生产将是困难且昂贵的。 GAA FET将被用于3nm以下,拥有更好的性能,更低的功耗和更低的漏电压。虽 … 继续阅读 3nm/2nm晶体管揭秘:难、难、难