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前几天西部数据及其合作伙伴铠侠表示：用于闪存芯片生产的材料发生了污染，影响了日本两家工厂的生产，铠侠还表示预计传统3D NAND闪存的发货不会受到影响。 不过据博板堂爆料，西部数据工厂正在评估之中，已 … Continue reading 真要涨价？西部数据铠侠闪存芯片被污染后续：已暂停接单

虽然自家的工厂遭遇了材料污染事件，导致6.5EB的闪存芯片受影响，不过铠侠依然庆祝了一件大事——NAND闪存问世35周年，1987年东芝工程师Fujio Masuoka开发了这 … Continue reading 铠侠庆祝NAND闪存问世35周年：价格降低了5万倍

日前铠侠及西数位于日本的NAND闪存工厂爆发污染事故，导致6.5EB容量的闪存芯片受到影响，这一黑天鹅事件给全球闪存行业带来了不确定性，原本价格还在下滑，但是最新预测称Q2季度闪存价格将会转向上涨5- … Continue reading 铠侠6.5EB闪存芯片被污染 Q2季度价格生变：涨价10%

韩国、日本及美国的闪存内存等芯片工厂经常出事故，现在铠侠的闪存工厂又摊上事了，曝出材料污染事故，导致6.5EB容量的闪存受损。 铠侠是跟西数合作生产NAND闪存的，工厂主要在日本，双方表示，正努力使横 … Continue reading 铠侠6.5EB闪存被污染 SSD硬盘要涨价？群联回应来了

近日，西部数据及其合作伙伴铠侠表示：用于闪存芯片生产的材料污染，影响了日本两家工厂的生产。 铠侠表示，受影响的产品是一种名为3D flash的新型芯片，而传统2D NAND闪存的发货预计不会受到影响。 … Continue reading 又要涨价？西部数据和铠侠称日本材料污染影响3D闪存生产

在3D闪存方面，三星之前一直是领先的，不过美光去年率先量产了176层堆栈的闪存，要想追赶回来，三星最快今年底能量产224层堆栈的闪存，性能还会提升30%。 三星的3D闪存V-NAND目前发展到了第七代 … Continue reading 最快今年底量产 三星将推出224层闪存：速度提升30%

日前有消息称美光将关闭位于上海的DRAM内存设计团队，并给40多名核心技术人员提供移民美国的待遇，现在美光方面已经证实停止内存设计团队。 据媒体报道，美光声明表示，将在未来一年内关闭公司上海设计中心的 … Continue reading 核心技术人员可移民 美光证实年底关闭国内内存设计团队：专注闪存技术

1月17日，紫光集团重整计划正式获得法院裁定批准，战略投资者将注入600亿元资金，全部用于向债权人清偿。 很快，大规模的调整就开始了。 据媒体报道，在新进投资者的推动下，紫光集团将放弃在成都、重庆两地 … Continue reading 紫光集团内存、闪存工厂不建了！240亿美元投资泡汤、日本CEO辞职

对于SSD硬盘，从SLC到MLC，再到TLC、QLC闪存的进化是少不了的，前不久美光还首发了176层的3D QLC闪存硬盘，SSD主控芯片一哥群联也表示QLC将成为主流，在QLC主控中也不会缺席。 针 … Continue reading 176层QLC硬盘上市 SSD主控一哥群联表态：会成为主流