财联社1月5日讯（编辑 周子意）据韩国三星电子联席首席执行官最新表示，内存芯片短缺的局面“前所未有”且“极其严重”，并且内存芯片价格飙升将对智能手机价格产生不可避免的影响。
据市场追踪机构DRAMeXchange称，过去一年中，传统DDR4 DRAM的基准价格飙升了近七倍——这是自 2016 年开始追踪价格以来的最高水平；同时，NAND 闪存的价格也大幅上涨，同期涨幅超过一倍。
三星或迎来强劲财报
有分析师指出，得益于内存芯片价格的历史性飙升以及用于人工智能的高带宽内存（HDM）的复苏，三星电子即将创下有史以来最强劲的季度营业利润。
该公司预计将于本周晚些时候公布初步第四季度业绩报告，市场普遍预期其季度营业利润将达到约19万亿韩元（约合140亿美元），几乎是上一季度的三倍。还有一些分析师预测，这一数字可能首次超过20万亿韩元，达到这一里程碑主要得益于其半导体部门。
内存价格的大幅上涨反映出供应紧张。而作为全球最大的存内存芯片生产商，三星成为这一转变的最大受益者。
令投资者更加乐观的是，三星在HBM领域的地位正在提升，而HBM是人工智能加速器中的关键组件。
业内消息人士称，三星最近在向包括英伟达和博通在内的主要客户提供的第六代 HBM4 产品测试中获得了最高性能评分。HBM4 预计将部署在英伟达计划于今年晚些时候发布的下一代人工智能平台上。
从市占率来看，三星在全球HBM市场的份额稳步上升，从去年第一季度的13%增长至第三季度的超过 20%。分析人士预计，今年这一数字将超过 30%，缩小与目前市场领导者韩国SK 海力士之间的差距。
三星电子联席首席执行官兼芯片主管全永铉（Jun Young-hyun）在一份新年致辞中表示，三星HBM4的差异化竞争力得到了客户的一致好评，并宣告“三星回来了”。
近日，投资者对三星的乐观预期反映在了股票市场中。在2026年头两个交易日中，三星电子股价的单日涨幅分别为7.17%和7.47%，并引领韩国基准股指KOSPI盘中刷新历史新高。
