盛美上海9月23日在互动平台表示， 公司于7月28日宣布对其Ultra C wb湿法清洗设备进行了重大升级。此次全新升级旨在满足先进节点制造工艺的苛刻技术要求。升级后的Ultra C wb采用了专利申请中的氮气（N2）鼓泡技术，有效解决了湿法刻蚀均匀性差和副产物二次沉积问题。在先进节点制造工艺中，这些问题常见于高深宽比沟槽和通孔结构的传统湿法清洗工艺。氮气鼓泡技术不但提升了化学药液传输效率，而且提高了湿法刻蚀槽内温度、浓度和流速的均匀性。湿法刻蚀过程中质量传递效率的提高可防止副产物在晶圆微结构内积聚，从而避免二次沉积。这项技术在500层以上的3D NAND，3D DRAM，3D逻辑器件中有巨大的应用前景。9月8日，公司宣布推出首款KrF工艺前道涂胶显影设备Ultra Lith KrF，旨在支持半导体前端制造。该系统的问世标志着盛美上海光刻产品系列的重要扩充，具有高产能、先进温控技术以及实时工艺控制和监测功能。首台设备系统已于2025年9月交付中国头部逻辑晶圆厂客户。在面板级设备方面，公司打造的FOPLP设备产品矩阵包括Ultra ECP ap-p面板级电镀设备、Ultra C vac-p面板级负压清洗设备、Ultra C bev-p面板级边缘刻蚀设备，助推AI芯片封装从传统的晶圆级封装向更高密度、更大尺寸的面板级封装转型。
