比QLC闪存渣几倍 铠侠研发7bit/cell闪存:零下200度低温运行

对于NAND闪存,大家都知道SLC、MLC往后的TLC、QLC闪存存在性能越来越低、错误率越来越高的问题,但是容量更大,所以闪存厂商一直在研发更多的闪存,铠侠的研究已经到了7bit/cell级别,需要 … Continue reading 比QLC闪存渣几倍 铠侠研发7bit/cell闪存:零下200度低温运行

2TB不到900元 美光原厂闪存SSD硬盘降价:2.4GB/s速度

618期间想要升级SSD硬盘的注意了,美光英睿达P2 2TB硬盘售价1199元,今晚8点到手不高于899元,这是一款原厂闪存的SSD硬盘,性价比很高。 英睿达P2 SSD用的是群联PS5013-E13 … Continue reading 2TB不到900元 美光原厂闪存SSD硬盘降价:2.4GB/s速度

今后SSD性能更强了:闪存/主控合二为一

一块SSD硬盘最核心的元件莫过于主控和闪存。 日前,在美光的投资者会议上,官方演示232层闪存时提到,SSD未来将使用内部和外部主控,其中内部主控的意思是闪存芯片和主控合二为一。 美光称,内部主控意味 … Continue reading 今后SSD性能更强了:闪存/主控合二为一

国产SSD奋起直追:中韩闪存芯片技术差已缩短至2年

国产存储芯片正蓬勃发展,代表企业有合肥长鑫(DRAM)、武汉长江存储等。 日前,韩国研究机构OERI在一份报告中分析指出,中韩DRAM芯片技术的差距大约是5年,NAND闪存芯片则已经缩短至2年。 据悉 … Continue reading 国产SSD奋起直追:中韩闪存芯片技术差已缩短至2年

最先进28nm工艺 国产eMMC 5.1主控量产:千元机大喜

中高端智能手机已经上了UFS 3.0或者UFS 3.1闪存,性能达到了PCIe SSD硬盘水平,不过大量千元级手机还在用低成本的eMMC闪存,现在国产主控芯片供应商得一微推出了eMMC 5.1主控芯片 … Continue reading 最先进28nm工艺 国产eMMC 5.1主控量产:千元机大喜

收购Intel闪存后 SK海力士宣布在中国新建3D NAND工厂

2020年9月份SK海力士宣布斥资90亿美元收购Intel的NAND闪存业务,并于去年底完成了第一阶段的交易,接手了Intel的闪存业务,也包括位于中国大连的闪存芯片工厂。 日前SK海力士宣布在中国再 … Continue reading 收购Intel闪存后 SK海力士宣布在中国新建3D NAND工厂

国产192层3D闪存要来了 年底量产!

在NAND闪存行业,随着长江存储在2019年量产自研的64层闪存,国内厂商已经杀进了这个行业,自研的Xtacking晶栈技术不熟三星等五大原厂,连续推出了64层、128层产品之后,今年要量产192层闪 … Continue reading 国产192层3D闪存要来了 年底量产!

西数将量产162层闪存:一块晶圆容量100TB

目前的3D NAND闪存已经纷纷堆到176层,美光日前更是宣布全球首个达到232层。 但是西数指出,自家的162层闪存单元尺寸更小,只有68平方毫米,小于竞品的69.6平方毫米或69.3平方毫米,因此 … Continue reading 西数将量产162层闪存:一块晶圆容量100TB

美光业界首发232层3D NAND闪存!计划明年投产

近日,美光公司发布了业界首个具有232层的3D NAND闪存,并宣布该技术将会投入包括SSD在内的多种产品。 据悉,这种232层的3D NAND闪存采用3D TLC架构,原始容量为1Tb(128GB) … Continue reading 美光业界首发232层3D NAND闪存!计划明年投产

旗舰机要换代了!UFS 4.0闪存正式发布:读取可达4200MB/s、速度翻番

处理器之外,你的手机可能要迎来一个足够的升级理由,UFS 4.0闪存它来了。 5月4日早间消息,三星半导体宣布已经成功开发出业内性能最佳的UFS 4.0(Universal Flash Storage … Continue reading 旗舰机要换代了!UFS 4.0闪存正式发布:读取可达4200MB/s、速度翻番