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在本周三，西数和铠侠宣布多达6.5EB的闪存芯片被污染。 根西数和铠侠的报告，这两家工厂可能会造成多达16EB的闪存被浪费，影响到本季度闪存市场10%的份额。 加上相关事件引发市场恐慌，已有消息称群联 … 继续阅读 6.5EB闪存芯片被污染影响力持续扩大：多个大厂受牵扯

全球闪存芯片今年上半年原本预期依然是熊市，价格还要往下跌，但是铠侠、西数日本工厂的污染事件有可能成为黑天鹅，改变闪存及SSD市场趋势，前几天还说不受影响的厂商群联据悉已经开始涨价15%。 据台湾媒体报 … 继续阅读 铠侠、西数污染损失6.5EB闪存 SSD厂商马上变脸：价格涨了15%

在本周三西数和铠侠宣布高达6.5E的闪存芯片被污染后，各路纷纷猜测SSD价格会一路高涨。而TrendForce更是认为，这将影响即将到来的苹果春季发布会的多款新品。毕竟，它们之一便是苹果的主要供应商。 … 继续阅读 6.5EB闪存芯片被污染后续：苹果春季发布会新品恐受影响

前几天西部数据及其合作伙伴铠侠表示：用于闪存芯片生产的材料发生了污染，影响了日本两家工厂的生产，铠侠还表示预计传统3D NAND闪存的发货不会受到影响。 不过据博板堂爆料，西部数据工厂正在评估之中，已 … 继续阅读 真要涨价？西部数据铠侠闪存芯片被污染后续：已暂停接单

虽然自家的工厂遭遇了材料污染事件，导致6.5EB的闪存芯片受影响，不过铠侠依然庆祝了一件大事——NAND闪存问世35周年，1987年东芝工程师Fujio Masuoka开发了这 … 继续阅读 铠侠庆祝NAND闪存问世35周年：价格降低了5万倍

日前铠侠及西数位于日本的NAND闪存工厂爆发污染事故，导致6.5EB容量的闪存芯片受到影响，这一黑天鹅事件给全球闪存行业带来了不确定性，原本价格还在下滑，但是最新预测称Q2季度闪存价格将会转向上涨5- … 继续阅读 铠侠6.5EB闪存芯片被污染 Q2季度价格生变：涨价10%

韩国、日本及美国的闪存内存等芯片工厂经常出事故，现在铠侠的闪存工厂又摊上事了，曝出材料污染事故，导致6.5EB容量的闪存受损。 铠侠是跟西数合作生产NAND闪存的，工厂主要在日本，双方表示，正努力使横 … 继续阅读 铠侠6.5EB闪存被污染 SSD硬盘要涨价？群联回应来了

近日，西部数据及其合作伙伴铠侠表示：用于闪存芯片生产的材料污染，影响了日本两家工厂的生产。 铠侠表示，受影响的产品是一种名为3D flash的新型芯片，而传统2D NAND闪存的发货预计不会受到影响。 … 继续阅读 又要涨价？西部数据和铠侠称日本材料污染影响3D闪存生产

在3D闪存方面，三星之前一直是领先的，不过美光去年率先量产了176层堆栈的闪存，要想追赶回来，三星最快今年底能量产224层堆栈的闪存，性能还会提升30%。 三星的3D闪存V-NAND目前发展到了第七代 … 继续阅读 最快今年底量产 三星将推出224层闪存：速度提升30%

日前有消息称美光将关闭位于上海的DRAM内存设计团队，并给40多名核心技术人员提供移民美国的待遇，现在美光方面已经证实停止内存设计团队。 据媒体报道，美光声明表示，将在未来一年内关闭公司上海设计中心的 … 继续阅读 核心技术人员可移民 美光证实年底关闭国内内存设计团队：专注闪存技术