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自从闪存进入3D时代，堆栈层数犹如摩天大楼一样越来越高，从最初的24/32层一路堆到了现在的128层甚至176层。三星下一代的第八代V-NAND闪存有望超过200层，未来还可以做到1000层。 目前全 … Continue reading 闪存“盖楼”新纪录 三星下一代V-NAND将突破200层：未来可达1000层