新型超导纳米线存储器出错率创新低 财联社1月28日电,美国麻省理工学院(MIT)科学家研发出一种新型可扩展的超导存储器。该器件基于具有一维结构的超导纳米线,凭借独特的电学特性,实现了极低的出错率,未来有望应用于低功耗超导计算机及容错型 … 继续阅读 新型超导纳米线存储器出错率创新低