1月6日消息,据报道,三星DS部门存储业务部最近完成了HBM4内存的逻辑芯片设计。Foundry业务部方面也已经根据该设计,采用4nm试产。 HBM,即高带宽存储器,凭借其卓越的性能,在高性能计算(H … Continue reading 三星HBM4内存进入试生产阶段:计划2025年底量产
1月6日消息,据报道,三星DS部门存储业务部最近完成了HBM4内存的逻辑芯片设计。Foundry业务部方面也已经根据该设计,采用4nm试产。 HBM,即高带宽存储器,凭借其卓越的性能,在高性能计算(H … Continue reading 三星HBM4内存进入试生产阶段:计划2025年底量产