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• 内存控制器分频的意义
• 的记忆训练和XMP计时介绍
• 参考记忆评估
• 测试结果和分析

序

英特尔第11代酷睿处理器集成了新的内存控制器和Gear 2内存模式，并具有更高的内存时序设置，使DDR4内存频率再次取得突破。知名内存厂商如驰奇、金士顿、威刚等。还推出了针对Z590平台的DDR4 5000MHz高频内存芯片组，同时在液氮中的极限超频甚至超过了7000MHz。

有一点可以肯定，在支持11代酷睿的主板芯片组中，低端定位的B560是可以超频内存的。这说明竞争是好事，至少让英特尔放低了姿态。另一方面，考虑到Intel还有很大的市场基数，DDR4已经到了代末，所以有必要在11代酷睿上测试各种内存的超频性能，为想升级到11代酷睿的用户做一个参考，也写下一个产品时代的记录。

内存控制器分频的意义

存储器的工作频率受到存储器控制器的限制。在许多情况下，内存超频是为了调整内存控制器和内存之间通信的稳定性。存储器的实际工作频率低于粒子的真实上限。

我们都知道内存是通过脉冲信号传输的，DDR内存的脉冲信号的上升沿和下降沿构成了DDR内存的双重数据传输操作。例如，当内存频率达到4000MHz时，实际内存I/O频率为2000MHz。此时，如果处理器的内存控制器处于等效频率，传输速率为2.0 gt/s，但由于现代处理器缓存结构的复杂性，提高外接访问存储器的读写性能可以说是牵一发而动全身的技术难题。于是AMD和Intel都走了一条相似的路:加了一个分频器，类似于内存频率的分频机制，把原来的1: 1同步分频变成了高频自动切换到1: 2的异步分频机制。

11代酷睿的Gear 2内存模式类似于Zen 2/Zen 3架构的分频模式。第11代酷睿处理器在Gear 2模式下，内存控制器的压力更小，内存频率更容易超频到更高的频率。AMD Zen 2平台推出的时候，也提高了内存频率的天花板。

第11代内核支持更高的内存时序设置。这两张截图是十代酷睿和十一代酷睿BIOS的截图。可以看出，第11代内核支持比第10代内核更高的内存时序。更高的时序设置也意味着内存在高频率下更加稳定，可以将内存频率超频到更高的水平。

从另一个角度来看，11代酷睿也可以说是在“训练”12代酷睿的DDR5内存，为未来推出DDR5内存控制器做准备。

这里先看看超频内存有没有提升，然后会有详细的分析:

在对内存比较敏感的网游中，CS GO更加明显。5066MHz相比3200MHz提升15%以上。但也有玩家表示CS GO帧率过高，意义不大。在文章的最后，我们还将测试《绝地求生》，它的帧数一般，但对内存性能也很敏感。

单机游戏中，以看门狗为例，这款游戏基本不依赖内存性能。内存超频到5066MHz时，平均帧只增加了2帧，最低1%的帧只增加了3帧，增幅很小。在目前的3A单机游戏中，这款游戏的帧性能应该更依赖于显卡的性能，性能相对稳定。同样，我们也测试了另一款3A单机游戏:《古墓丽影:暗影》。这款游戏虽然不吃处理器的物理性能，但是超频内存后的帧数差别还是比《看门狗:军团》大。请继续阅读。

的记忆训练和XMP计时介绍

XMP是一种简单的内存超频技术。制造商将经过认证的超频参数保存在存储器的特定SPD区域。使用时，玩家可以通过BIOS读取超频参数，完成内存的超频。其实XMP科技保存的超频参数并不完整，通常只保存CL、TRCD、TRP、TRAS、TRC、TFAW、TRRD-S、TRRD-L等一些关键超频参数，然后主板自动调整内存完成超频。

这种调整，专业术语通常称之为训练。一般来说，第一次打开带XMP的内存时，启动过程会比通常的自检时间长。这个过程就是训练主板和处理器的内部存在。训练完成后，在玩家更换其他内存或处理器之前，不会再次训练boot。

内存厂商常说内存经过了严格的测试程序，通过了各大主板厂商的稳定性认证测试。这个“测试”包括XMP的可靠性测试。

内存出厂前，至少要经过两道工序。第一个是筛选粒子，选择合适的高频粒子。第二个是和主板厂商一起测试，看看主板在内存条高频率运行的时候，它的训练会不会出错。这两个工艺是内存模组厂竞争力的体现。不同内存条厂的测试流程和技术都是具有商业价值的机密技术。内存条厂越强大，测试运行越严谨可靠，可以和主板厂商做的认证测试越多，可以保证99%以上的用户可以稳定运行XMP超频设置。

今天的文章，除了对内存的横向评测，还会针对不同颗粒给出超频建议。类似于内存厂商的XMP技术，我们只给出内存部分的时序设置来简化内存的超频过程，剩下的交给主板和处理器来设置。

参考记忆评估

在这次交叉评测中测试了六种类型的内存，包括来自四个制造商的六种类型的内存:科孚、雷克沙、金士顿和海盗船。其中，雷克沙和科孚是主流马甲，频率为3200MHz，海盗复仇者RGB PRO和科孚BOLT X是主流马甲，频率为3600MHz，金士顿捕食者和科孚汽车X RGB是高端内存，频率为4000MHz。

福柯

品牌定位

福柯是来自韩国的存储器品牌，属于ESSENCORE品牌，与SK海力士半导体同属于韩国SK集团。它的大部分记忆产品都是由海力士酵母颗粒制成的。由于同属一个集团，福柯在产品上自然会有一些价格优势。其通用和主流内存往往能找到CJR、DJR、MJR等能超频4000MHz的内存颗粒度产品。在内存质量和超频潜力上，比一般的模块厂要好。

产品介绍

福柯CRAS X RGB灯条是福柯的旗舰产品。有3200/3600/4000MHz三种频率规格可选，单容量有8GB和16GB两种。我们的评估套件是DDR4 4000MHz 8GB x 2套件。散热器的设计基于几何和纹理元素，非常厚实，质感极佳。从侧面看，散热片的厚度为2mm，可以为内存提供良好的散热效果。它是一个顶部有宝石形状的光导杆。由于水晶切割的不规则设计，RGB光线可以从不同角度散射，灯光效果会更加柔和自然。还支持四大主板厂商和Razer RGB灯光控制功能。这个设计还获得了2019年红点设计奖。

第二套是福柯螺栓X内存，这是专门为游戏和超频设计的。它采用了轻薄的设计语言，并配备了特别设计的99.5%纯度铝散热器，为内存芯片提供稳定的散热性能。Branch BOLT X内存没有RGB照明设计，高度只有33mm。是标准的短条形内存，满足了不喜欢RGB照明或者不喜欢紧凑机箱空以及使用风冷散热器的玩家的需求。BOLT X的内存频率有3200MHz /3600MHz两种频率规格，容量也有8GB和16GB两种。这个评测是DDR4 3600MHz 8GB x 2套件。

第三套是福柯的无背心通用条，也是用SK海力士海力士颗粒。为了保证最大的兼容性，它还通过了各大主板厂商的QVL测试。这套通用存储器采用了JEDEC的频率和时序标准，频率为DDR4 3200MHz时序22-22-22，这也是JEDEC标准允许的最高频率。

超频过程和稳定性测试

三套内存，CRAS X RGB灯条和BOLT X内存都是DJR粒子做的，无腰通用条是CJR粒子做的。海力士CJR和DJR粒子是在DDR4内存超频战斗机。作为下一代CJR技术，DJR粒子在超频性能上更上一层楼，比采用新内存控制器的第11代酷睿处理器更强大。下面来演示一下这三组内存的超频教程。

首先是CRAS X RGB内存超频到DDR4 5066MHz的超频教程。存储器电压设置为1.65V，存储器控制器电压设置为1.35V，VCCSA电压设置为1.35V..第一个定时设置是CL20，TRCD/TRP 28，TRAS 50，CR模式1t；第二定时设置TRRD-S 9、TRFC 700、TRTP 14、TWTR-S 9可以将福柯的CRAS X RGB内存超频到5066MHz。不过，需要注意的是，1.65V的存储器电压已经超过了DDR4的JEDEC电压规格。不过1.65V会不会造成内存损坏是个问题。我觉得没有足够的样本量来证明1.65V不能在日常生活中使用，只有

然后是福柯螺栓X内存超频教程。福柯BOLT X 3600内存可以超过4800MHz，内存电压设置为1.6V，内存控制器电压设置为1.35V，VCCSA电压设置为1.35V，这里补充一点，所有的电压设置都是基于你的处理器或者内存的构成，也就是系统比较好的个人可以降低电压来设置。计时部分，第一计时设置为CL20，TRCD/TRP 26，TRAS 50，CR模式1T；在第二个时序中设置TRRD-S 9、TRFC 800和TWTR-S 9可以将这套福柯BOLT X 3600内存超频到4800MHz。

最后，福柯的3200无马甲通用条，BIOS设置用的是我们搞清楚的一套通用定时设置，可以用在不同的粒子上，这套设置后面会用到。内存频率设置为DDR4 4266MHz，内存电压设置为1.4V，内存控制器电压设置为1.25V，VCCSA电压设置为1.25 V，注意内存电压、控制器电压、VCCSA电压都是按照“饱和设置”的原则测试的，玩家可以根据处理器和内存的系统不同，降低到1.35V和1.15V日常使用。计时方面，第一计时设置为CL19，TRCD/TRP 23，TRAS 46，CR模式1T；在第二个时序中设置TRRD-S 7、TRFC 700、TFAW 58、TWTR-S 7，可以将3200MHz通用频段超频到DDR4 4266MHz。

目前福柯CRAS X RGB DDR4 4000MHz超频，在i9 11900K平台上实现DDR4 5066MHz频率，频率性能提升26.65%。通过了MemTest Pro的200%无错极限负载测试，内存读写性能达到73gb/s；配合BOLT X DDR4 3600MHz超频，实现DDR4 4800MHz的频率，频率效率提升33.33%。还通过了Memtest Pro的200%无错极限负载测试，内存读写速度达到68GB/s，运行稳定。DDR4 4266MHz的频率通过3200MHz马甲超频实现，频率效率提升33.3%。还通过了MemTest Pro的200%无错极限负载测试，内存读写速度达到61GB/s，运行稳定。

总结

作为SK集团旗下爱思德公司的品牌，福柯在内存上大多采用海力士CJR、DJR、MJR等颗粒，保证了内存模块的超频潜力。同时，使用Hynix颗粒也可以保证其稳定性和兼容性。通过我们的超频教程，福柯CRAS X RGB在11900K平台上的最高超频为DDR4 5066MHz。对超频感兴趣或者想玩海力士颗粒的玩家可以用家里的内存。富提供终身有限保修。想买的朋友可以去他们在JD.COM的自营店，天猫旗舰店可以放心下单。

雷克沙

Lexar雷克沙是一个拥有24年仓储业务经验的知名仓储品牌。旗下拥有固态硬盘、移动u盘、存储卡、读卡器等产品线。去年6月，雷克沙宣布正式进军消费级内存产品。目前还推出了3200MHz光杠和无腰通用杠产品。

之前评测过雷克沙的内存，三星C Die颗粒是3200MHz 8GB产品线最大的特点。三星C Die颗粒超频潜力大。在之前的评测中，我们在10900K平台上将其超频至4,000 MHz，并多次推出该内存芯片的团购活动。参加活动的玩家基本都能超频到4,000 MHz。这次我们进一步尝试在11900K平台上超频。

教程BIOS

这套雷克沙记忆使用我们刚刚提到的通用教程。内存频率设置为DDR4 4266MHz，内存电压为1.4V，内存控制器电压为1.2V，VCCSA电压为1.25 V，时序方面，第一时序设置为CL19，TRCD/TRP 23，TRAS 46，CR模式1T。在秒计时中设置TRRD-S 7、TRFC 700、TFAW 58和TWTR-S 7，可以将这套雷克沙内存超频3200MHz到4266MHz。

DDR4 4266MHz 19-23-23 CR1的频率设置比之前在10900K上的结果略高，也从侧面证明了11900K的超级内存效果确实比10900K好。性能方面，内存读写性能达到63GB和62GB/s，复制性能也达到59GB/s，延迟约54纳秒。

Memtest PRO稳定性负载测试，通过120%覆盖，可以稳定运行。

目前，雷克沙作为内存条厂的“新人”，推出的内存条产品不多，但都是有三星C Die颗粒的诚意产品，兼顾了稳定性和超频潜力。

金斯敦

金士顿的HyperX系列内存应该是玩家最熟悉的内存产品之一。作为全球最大的内存模组厂，金士顿的内存给人的印象是以稳定为主，但其实金士顿的HyperX系列内存也有高端的超频条产品线，采用三星B Die颗粒，也很有特色。

我们的评测是金士顿HyperX Predator 4000MHz内存，这套内存也是三星B Die BCRC粒子。之前我们评测它可以在10900K平台上运行DDR4 4400MHz频率17-18-18 CR2，时序和性能都非常出色。但在11900K平台上，情况略有不同。1代芯的Gear 2模式分频固定在100: 133，再乘以1: 2的特性，就变成了100: 266步。DDR4 4000MHz的下一档是DDR4 4266，下一档是DDR4 4533，直接跳过了DDR4 4400MHz的频率档。更有意思的是，很多高频内存预置都是DDR4 4400MHz，这就引出了另外一个。这个问题我们下期再讲。

现在我们从Predator掠夺者的超频教程开始。由于DDR4 4400MHz频率无法运行，所以我们选择了DDR4 4266MHz频率，时序也是17-18-18，但是因为频率降低了，所以可以运行在CR1(1T)模式，效率会更高。

BIOS超频教程

内存频率设置DD4 4266MHz，内存电压1.5V，内存控制器电压1.3V，VCCSA电压1.3V，定时，第一次定时设置CL17，TRCD/TRP 18，TRAS 39，CR模式1T；在第二个时序中设置TRRD-S 8、TRFC 420、TRTP 12、TFAW 42和TWTR-S 8，可以将金士顿HyperX Predator从4000MHz超频到4266MHz CL 17，提高了内存频率，降低了内存延迟。

采用DDR4 4266MHz 17-18-18-39 1T内存设置，内存读写性能达到每秒65GB和63GB，复制性能也达到每秒61GB，延迟约52纳秒。

Memtest PRO稳定性负载测试，通过150%覆盖，可以稳定运行。

作为全球出货量最大的内存模组厂，金士顿内存手中掌握着大量的“颗粒话语权”。其实它有很多可以做到超高频的好颗粒。但是金士顿本身就是一家注重稳定性和体积的内存模块厂，并没有特别注重高端超频条市场。所以他的内存跑XMP频率肯定没问题，但是如果要超过4000MHz以上的高频，那就得运气了。比如我们现在的这个就可以了。之前评测过的一些3600MHz内存封装也使用三星B Die颗粒，同样可以超频到4000MHz以上的频率。金士顿整体来说属于好粒子很多，但是没有专门做超频市场的厂商。

海盗船

海盗船的内存以超频能力和RGB灯光著称。很多买海盗船内存的玩家并不喜欢超频，而是喜欢海盗船的RGB灯光效果和配合iCUE使用的自定义功能。至于超频能力，从我们以往的测试经验来看，海盗船对内存颗粒的筛选能力很高。通常低端内存的超频潜力比较低，高端内存的超频潜力取决于具体型号和版本号。比如我们评价这款复仇者RGB PRO，超频潜力不错。

海盗船的内存条形码下通常有一系列的版本号，这个版本号代表了内存中使用的粒子。例如，V4.31代表三星B芯片颗粒，V5.32代表海力士CJR。虽然不是100%准确，但在大多数情况下是常见的。

我们之前评测过一套海盗船白金尺。从代码识别来看，是美光E Die颗粒，但实际上是美光筛选出来打大s标的混合颗粒。这种粒子海盗船居然能超过4000MHz，我也是印象颇深。这也从侧面证明了海盗船筛选粒子的能力确实很强大。

海盗船这个复仇者RGBPRO的内存也是用的三星B Die颗粒，和金士顿申请的三星B Die BCRC不一样。这套用的是BCPB。两者的区别可以简单的认为是不同的出厂频率，更高的BCRC，更好的超频体质。

BIOS超频教程

海盗船的这套记忆也是用之前说的通用教程，只是时间安排会稍有改动。内存频率设置为DDR4 4266MHz，内存电压为1.4V，内存控制器电压为1.25V，VCCSA电压为1.25v，时序方面，第一时序设置为CL19，TRCD/TRP 23，TRAS 46，CR模式1t。在第二个时序中设置TRRD-S 8、TRFC 700、TFAW 58、TWTR-L 15和TWTR-S 9，可以将海盗船的3200MHz复仇者RGB PRO的内存超频到DDR4 4266MHz。

DDR4 4266MHz 19-23-23 CR1的频率设置与雷克沙类似。性能方面，内存读写性能达到每秒63GB和62GB，复制性能也达到每秒59GB，延迟约55纳秒，基本是同一水平。

同样，超频到DDR4 4266 19-23-23 1T也可以通过内存测试PRO稳定负载测试，150%覆盖可以稳定运行。

测试结果和分析

我们刚刚横向测试的六组内存都是在11代酷睿处理器上，超频超过4000MHz。结合理论分析和实际表现。在11代酷睿处理器上，内存超频和实际性能相比10代处理器都有一定程度的提升，最高甚至达到DDR4 5066MHz。而DDR 4 5066MHz在10代酷睿上的正常超频环境下几乎是无法企及的。现在5000的内存频率至少可以用“不难”来形容。

鉴于大家关心的问题，我们还对比了DDR 4在11代酷睿处理器上3200、4000、5066MHz的游戏性能。在CS GO中，内存频率从3200MHz超频到4000MHz，平均帧数提升9.4%。内存频率从4000MHz超频到5066MHz，平均帧数提升6%。《绝地求生》中，内存频率从3200MHz超频到4000MHz，平均帧数只增加了3帧。估计是内存分频机制抵消了频率的提升，而超频到5066MHz平均提升了6%的帧数，和CS GO的结果差不多。

在3A游戏中，我们选取了两款游戏进行测试，分别是《看门狗:军团》和《古墓丽影:暗影》。这两款游戏是两款有代表性的单机游戏，通常对处理器性能不是很敏感。在《看门狗:军团》中，内存频率从3200MHz超频到4000MHz，测试平均帧数和1%最低帧数相同，但超频到5066MHz，平均帧数和1%最低帧数比3200MHz和4000MHz分别提高了3.5%和1.7%。《古墓丽影:暗影》中，内存频率从3200MHz超频到4000MHz，平均帧数下降1.1%，第95个平均帧数上升不到1%，基本可以视为没有提升甚至性能下降；超频到5066MHz时，平均帧数增加了5.6%，95号平均帧数增加了1.8%，说明超频到5066MHz时最大帧数明显增加，但除了最大帧数外，差异并不显著。

内存的超频过程其实是一个很有耐心的环节。一套内存在风冷环境下超频到自己满意或者最高水平大概需要1到2天。这个过程其实就是在电压和定时的设置上反复尝试，直到尝试到一个平衡稳定的设置，宣布超频。

这种平衡稳定的设置不需要设置几十或几百个内存计时参数，而是类似于XMP超频技术。它们中的大多数只需要设置第一时序的CL、TRCD、TRP和TRAS，以及第二时序的TFAW、TRFC、TRRD-S、TRRD-L和TWTR-S。主板的训练功能一般会帮你完成剩下的。

用11代酷睿平台，4000MHz以上的频率，一般可以在19-23-23-46 1T的时间序列尝试一下。在第二个时间序列中，除非TRRD-S和TRRD-L是更好的三星B Die，一般以7和10为起点进行尝试；TW-S通常以8为起点进行尝试；TFAW通常在35到50以上尝试，通常TFAW是TRRD-S的4-8倍；TRFC通常以630为起点进行尝试；

摘要

2021年，我们来到了DDR4时代的终点。DDR4内存的频率有了很大的提升，4000MHz以上的频率相对容易实现。但无论是Zen 2/3平台还是11代Core平台，都不约而同地选择了分频机制来提高内存频率的天花板，由此引申出一个问题。内存频率应该容纳内存控制器频率，尽可能采用同步机制，还是优先考虑内存频率，尽可能提高内存频率？

我认为这不是一个容易回答的问题。内存频率、内存控制器频率和内存时序都可以决定最终的游戏性能。要回答这个问题，可能要看处理器主板支持、超频体验、产品价格等诸多因素。同样的内存，Zen 2/3平台和11代酷睿平台有着完全不同的性能。以我们这次测试的第11代酷睿处理器为例。3600 MHz以上的内存频率意味着Gear2的分频模式(3600 MHz以下当然不用Gear 2，跑分没意义)，但如果内存频率足够高，内存时序足够低，性能还是会有提升的。当然，从时间成本、安装成本、性价比来看，使用3200MHz或3600MHz的内存套件是最划算的选择。超频到4000MHz并不能带来明显的性能提升，但是超频到5066MHz，我们测试的四款游戏帧数都有所增加。